真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器

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真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器
申请号:CN202510818075
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120809566A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种真空紫外光源芯片及其制备方法、微型光离子化检测器,属于光离子化检测器领域。该真空紫外光源芯片应用于光离子化检测器,包括第一衬底、第一硅电极层、介质阻挡层和透紫外光盖板;第一硅电极层设置于第一衬底上,第一硅电极层包括间隔布置的第一激发电极和第二激发电极;介质阻挡层的至少部分覆盖第一激发电极和第二激发电极;透紫外光盖板设置于介质阻挡层的远离第一硅电极层的一侧,透紫外光盖板与第一硅电极层之间形成有气体腔,气体腔中填充有第一气体。本公开能够实现真空紫外光源芯片及PID的高集成化、微型化和低成本化,并且能够提高真空紫外光源芯片及PID的寿命和可靠性。
技术关键词
真空紫外光源 介质阻挡层 光离子化检测器 芯片 衬底 隔离沟槽 气体 电离室 合金焊料 叉指电极 应力 气压 基板 低成本 电信号 轮廓
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