LED芯片的寿命预测方法及相关设备

本发明涉及一种LED芯片的寿命预测方法及相关设备，包括以下步骤，对所述LED芯片进行电致发光光谱测量，得到LED芯片的初始光谱特征曲线；对所述初始光谱特征曲线进行高斯峰分解，得到LED芯片的多峰光谱参数；基于所述多峰光谱参数，通过光谱重构技术对所述LED芯片进行光谱演化模拟，得到LED芯片的光谱变化趋势图；基于所述光谱变化趋势图进行光谱特征提取，得到LED芯片的光谱衰减特征向量；基于所述光谱衰减特征向量对所述LED芯片进行寿命预测分析，得到LED芯片的寿命预测结果，传统普遍采用加速老化实验结合经验模型进行寿命评估，但这种方法往往周期长、成本高，且难以反映实际工况下的性能退化过程的技术问题。