基于多元非线性回归的芯片原子钟温度补偿方法及装置

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基于多元非线性回归的芯片原子钟温度补偿方法及装置
申请号:CN202510825243
申请日期:2025-06-19
公开号:CN120652771A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于多元非线性回归的芯片原子钟温度补偿方法及装置,包括确定芯片原子钟内部的九项观测量;确定芯片原子钟的输出频率准确度;根据所述芯片原子钟内部九项观测量与所述芯片原子钟输出频率准确度,确定每项观测量与输出频率准确度之间的相关系数,再筛选与温度变化强相关的特征变量;确定将激光温度控制量作为芯片原子钟温度补偿模型的特征量,再建立多元非线性回归模型;根据所述多元非线性回归模型,确定模型频率补偿量与单片机内实际控制量。该方法在温度自然波动、温度梯度变化和温度异常突变等多种工况下均能有效抑制频率漂移,显著提升了芯片原子钟的环境适应性。
技术关键词
原子钟 非线性回归模型 芯片 温度补偿方法 相关性分析方法 频率 激光 温度补偿装置 多环境 单片机 处理器 模块 变量 光强 时钟 可读存储介质 微波 多项式 计算机
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