一种防止底填胶水溢料的半导体封装结构及制作方法

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一种防止底填胶水溢料的半导体封装结构及制作方法
申请号:CN202510830616
申请日期:2025-06-20
公开号:CN120657012A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种防止底填胶水溢料的半导体封装结构及制作方法,该半导体封装结构包括封装单元和密封环墙;封装单元包括导电复合结构、与导电复合结构电连接的芯片、对芯片底部进行填充的底填胶层;单颗半导体封装结构是通过沿封装原坯的切割道经切割而成;密封环墙沿切割道周向设置在封装单元的边缘区域,且位于底填胶层边缘与切割道之间;密封环墙是通过图形化工艺形成的金属层叠结构,且其与导电复合结构中的金属重布线层同步形成。本发明在封装结构中设计密封环墙,在不影响RDL布线密度的同时可以防止底填胶水溢料至切割道,防止芯片在切割过程中受到机械损伤,还可以提高RDL中介层的刚性,减少翘曲,提高封装的可靠性。
技术关键词
半导体封装结构 导电复合结构 封装单元 密封环 重布线层 胶水 芯片 层叠结构 刻蚀工序 塑封工艺 金属结构 包封 电镀 涂布 信号 涂覆
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