一种LED全彩器件及LED全彩器件的制作方法

本发明公开了一种LED全彩器件及LED全彩器件的制作方法，LED全彩器件包括依次层叠的色转换层、键合层和芯片阵列；色转换层包括若干个量子点色转换结构，任意一个量子点色转换结构包括光转换层；芯片阵列包括依次层叠的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和ITO导电层，形成若干个芯片单元；若干个芯片单元与若干个量子点色转换结构的位置在竖直方向上对应设置。本发明设置由若干个量子点色转换结构组成的色转换层，以及由若干个P电极和N电极组成的芯片阵列，通过键合层将二者键合，形成的LED全彩器件，结构更简化、制备工艺更简洁、制作成本更低，有效优化器件的发光效率和发光精度。