高功率密度智能功率模块、半导体及封装方法

本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种高功率密度智能功率模块、半导体及封装方法，包括：嵌铜基板，其上设置有控制电路区和嵌铜承载区，嵌铜承载区将控制电路区半包围；嵌铜承载区包括若干设置在嵌铜基板上的嵌铜，嵌铜顶面设置有至少一个功率芯片，并且嵌铜与对应功率芯片均电性连接，嵌铜的底面在嵌铜基板底面形成功率引脚电极；控制电路区中设置有芯片外围电路和至少一个控制芯片，控制芯片与芯片外围电路电性连接，控制芯片设置在嵌铜基板顶面；芯片外围电路在嵌铜基板底面形成控制引脚电极；功率芯片与芯片外围电路电性连接，进而实现了减少控制电路区的面积，为功率芯片提供更大的安装区域，提升功率密度。