一种半导体级联器件及其封装方法

本发明涉及一种半导体级联器件及其封装方法，属于半导体封装技术领域。半导体级联器件的封装方法包括：对第一半导体芯片进行电极的扇出封装以得到第三半导体芯片，并在第三半导体芯片正面表面形成第一重布线层，其中，所述第三半导体芯片包括横向排布的第一区和第二区，第一区内封装所述第一半导体芯片，所述第二区内包括散热通路；所述第一重布线层包括第一半导体芯片的第一电极扇出金属层和至少覆盖第二区正面部分表面的级联金属层；在级联金属层上贴装第二半导体芯片；进行金属互联、塑封以得到半导体级联器件。本发明缩小了半导体芯片面积，降低了寄生参数，提高了器件的整体散热效果。