一种晶圆级电感封装结构及其制备方法

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一种晶圆级电感封装结构及其制备方法
申请号:CN202510840130
申请日期:2025-06-23
公开号:CN120341190B
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种晶圆级电感封装结构及其制备方法,封装结构包括中介层、电磁凸块、塑封体、塑封部和第三功能芯片,塑封体设有两个,塑封体旋转90度后垂直设于中介层正面,且对称设置在电磁凸块的两侧,使第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层朝向中介层正面,塑封体中的第一左侧壁金属层和第二左侧壁金属层通过中介层实现与电磁凸块的电气连接;塑封部包覆两个塑封体和电磁凸块,第三功能芯片集成在第一右侧壁金属层和第二右侧壁金属层表面。本发明提供的晶圆级电感封装结构,实现了在有限的空间内高密度集成6颗芯片,显著减小了封装尺寸,且制备方法简单。
技术关键词
电感封装结构 布线金属层 衬底晶圆 电磁 正面 电气 凸块 硅中介层 植球工艺 锡球 存储芯片 高密度 通孔 电镀 处理器
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