三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备

本发明涉及一种三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备，通过垂直堆叠多层存储层，每层存储层都包含多个自选择存储器，这样垂直堆叠的三维架构可以在单位面积内集成更多的自选择存储器，提高了存储容量，以满足高密度存储需求，比如可以满足大语言模型的存储需求，支持存内计算和近存计算，具有高带宽、低延迟的矩阵向量乘加速能力；自选择存储器能够在达到开启电压时实现自选择存储，避免引入晶体管造成的额外面积开销，减小了单个存储器的面积，并且简化了存储层的结构，提高了存储器的集成度。