纳米电极柱诱导型叠层忆阻器

本发明公开纳米电极柱诱导型叠层忆阻器，属于半导体技术领域；纳米电极柱诱导型叠层忆阻器包括从上至下依次堆叠的：顶电极层、电阻层HfOx、电阻层TaOx以及底电极层；顶电极层的下端中心位置设置有电极柱，电极柱材料与顶电极是同材料；电阻层HfOx的上端中心位置开设有圆柱孔，电极柱配合插入所述圆柱孔内并完全填充。纳米电极柱可以局部增强电场，更好的控制导电细丝的形成与断裂，从而可以有效降低导电细丝的断裂与形成电压，纳米电极柱热导率大于氧化层热导率，可以增加器件局部散热能力；并且可以降低脉冲数量，有效提高了器件的开关速度；提高了器件线性度，有助于神经形态计算。