磁存储器芯片的防辐照电路

磁随机存取存储器(MRAM)利用电子的自旋进行信息存储，不需要待机耗能，是当前取代SRAM与DRAM进行大规模应用的存储器的最有力的候选。MRAM的存储单元本身具有抗辐照性，然而其需要CMOS逻辑电路来进行信息的读写等操作，所以仍然存在着被辐照影响的风险。本发明提出了一种用于磁存储器芯片MRAM的防辐照电路，提升了对抗两种主要的辐照影响，即提升了对抗单粒子翻转和双节点翻转的性能。