基于电荷平衡物理约束神经网络的MOSFET器件建模方法及相关设备

本发明公开了一种基于电荷平衡物理约束神经网络的MOSFET器件建模方法及相关设备，其中方法包括：获取MOSFET器件正常工作状态下的各项数据，对获得的数据进行预处理，以得到训练电荷平衡物理约束神经网络模型的数据集；构建电荷平衡物理约束神经网络模型，把MOSFET工作状态下的氧化物和半导体界面处的电荷平衡条件作为物理约束，加入网络模型的设计和训练过程，以实现物理约束神经网络建模；使用数据集迭代训练电荷平衡物理约束神经网络模型，直至模型的考核指标满足预设要求。本发明将垂直沟道方向的电荷平衡条件作为物理约束引入MOSFET神经网络模型设计和训练过程，能够准确拟合MOSFET器件的工作时的行为特性，可广泛应用于集成电路技术领域。