一种基于智能调控的工业机器人半导体刻蚀系统

本发明属于信息技术领域，具体聚焦于一种基于智能调控的工业机器人半导体刻蚀系统。基于多传感器融合与实时反馈的刻蚀精度控制算法，运用Dempster‑Shafer证据理论融合多传感器数据，结合滑模控制实时调整刻蚀参数，使芯片刻蚀尺寸偏差从传统工艺的±5nm降至±1nm，废品率从15％降至5％。基于多物理场监测与自适应调整的刻蚀均匀性优化算法，通过多源信息融合构建多物理场模型，采用模型预测控制实时优化工艺参数，刻蚀深度偏差从±15nm缩至±5nm，芯片良品率从70％提升至90％，显著提升刻蚀精度与均匀性。