一种高可靠性跨台阶MEMS芯片电极层的制备方法

本发明提出一种高可靠性跨台阶MEMS芯片电极层的制备方法，该方法包括以下步骤：在硅片表面制备第一氧化硅层；对第一氧化硅层进行图形化；制备硅沟槽结构；去除剩余的第一氧化硅层；首次制备第二氧化硅层；去除第二氧化硅层；重复制备第二氧化硅层；在第二氧化硅层上制备金属膜层。上述用于制备硅基跨台阶MEMS芯片电极层的方法，可以提高电极层的加工可靠性。