一种应用于氮化镓全集成半桥功率芯片的高侧驱动电路

本发明公开了一种应用于氮化镓全集成半桥功率芯片的高侧驱动电路，属于功率集成电路领域。该电路包括输入级电路、抗VSW负压电平移位电路、低功耗输出级电路。其中，抗VSW负压电平移位电路通过负压传输结构保障信号在VSW节点负压条件下的正确传输，此外还能够产生用于低功耗输出级电路的超前脉冲控制信号；低功耗输出级电路通过超前脉冲控制信号，仅在输出状态改变前的短时间内对自举电容进行充电，大幅缓解了传统方案中电容充电支路的高功耗问题。本发明显著提升了高侧驱动电路在负压工况下的信号传输可靠性，同时有效地降低静态功耗，兼顾了氮化镓全集成半桥驱动芯片中对高侧通路的高可靠性和低功耗需求。