一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法

本发明涉及一种具备双重记忆特性的人工神经元器件及其制备方法。该器件包括衬底及至少两个突触晶体管，每个突触晶体管包括半导体层、栅极、源极、漏极和栅介质层，采用独立沟道的设计，使得器件能够实现不同的记忆特性。器件接收不同模态的电压脉冲信号，通过多个共享栅极实现多模态传感信号的并行处理。器件输出呈现短期记忆与长期记忆的双重记忆特性，适用于复杂的识别与分类任务，可应用于智能传感和仿生机器人等领域。