射频芯片、射频功率放大芯片及射频前端模组

本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频芯片、射频功率放大芯片及射频前端模组，射频芯片包括：第一金属层；第一密封圈，绕设于所述第一金属层上并环绕所述射频芯片边缘设置，所述第一密封圈上设置有多个第一开口以将所述第一密封圈划分为多段金属线，所述金属线包括第一金属线；及相互耦合的多个线圈，多个所述线圈中的一者包括所述第一金属线。本申请在兼顾射频芯片性能的同时提高了芯片面积利用率。