一种基于光致相变忆阻器储备池芯片系统及其应用

本发明公开了一种基于光致相变忆阻器储备池芯片系统及其应用，其中所述器件包括：透明基底层；覆盖在所述透明基底层上的MoOx薄膜层，所述MoOx薄膜层用于在特定波长的紫外光照射下诱导产生HyMoOx高导电相；以及覆盖在所述MoOx薄膜层上的电极层。所述器件采用FTO/MoOx/Au三明治结构，MoOx薄膜厚度146nm，且通过405nm紫外光诱导产生HyMoOx高导电相可抑制空穴‑电子去激发复合，利用光诱导相变机制实现了3268个稳定状态，为复杂信号处理提供了高精度编码虚拟节点。