一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺

本发明公开一种宽禁带半导体复合高压垂直功率芯片及制作工艺，芯片包括至少一个元胞结构单元，该元胞结构单元包括衬底、宽禁带薄层材料制成的横向集成的高耐压层、硅薄膜层、连接在硅薄膜层上的硅CMOS逻辑及开关控制单元、第一多层介质层，横向集成的高耐压层和硅薄膜层竖向设置；P+掩埋层和P‑Top层分居高耐压结构区上下两侧，横向集成的高耐压层和硅薄膜层之间通过界面键合介质层连接；硅CMOS逻辑及开关控制单元包括硅开关控制单元和硅CMOS低压逻辑单元，硅开关控制单元设于高压功率管上管臂1区，硅CMOS低压逻辑单元设于高压功率管下管臂1区。本发明能优化高压集成芯片架构，实现更低的芯片面积和工艺成本。