基于VTEC与氧氮比的电离层三维电子密度预测方法

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基于VTEC与氧氮比的电离层三维电子密度预测方法
申请号:CN202510887917
申请日期:2025-06-30
公开号:CN120823895A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种基于VTEC与氧氮比的电离层三维电子密度预测方法,涉及电离层电子密度预测领域,方法包括:获取电子密度数据、全球实测VTEC数据、氧氮比数据、地磁活动指数和太阳辐射指数;对电子密度数据进行预处理;将全球实测VTEC数据和氧氮比数据插值到预处理后的电子密度数据的时间和地点,结合地磁活动指数和太阳辐射指数,构建数据集;通过数据集训练LSTM模型;获取实时的全球实测VTEC数据、氧氮比数据、地磁活动指数和太阳辐射指数;通过获取的实时数据,结合训练后的LSTM模型,预测全球电离层的三维电子密度。本申请的技术方案能有效提高全球电离层三维电子密度预测精度。
技术关键词
地磁活动指数 LSTM模型 皮尔逊相关系数 网络接口 可读存储介质 设备通信 电子设备 存储器 计算机 实时数据 指令 地点 处理器 格网 偏差 曲线
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