一种多层电极结构的铌酸锂调制器芯片及其制备方法

本发明提出了一种多层电极结构的铌酸锂调制器芯片及其制备方法，涉及量子通信与光纤通信技术领域，多层电极结构的铌酸锂调制器芯片包括：衬底晶圆、多个光波导、多个电极；衬底晶圆包括硅、氧化硅、铌酸锂薄膜三层结构；多个光波导互相平行，光波导中间的电极为火线，两侧的电极为地线；电极为多层电极层与多层介质层交替分布形成；行波电极输入端和输出端均包括火线焊盘和地线焊盘，火线焊盘和地线焊盘为层叠结构，每层焊盘通过独立的金线连接到射频引针和终端负载上。本发明中采用多层电极结构节省了金的使用量，降低了调制器的生产成本，提高了调制器芯片的量产能力；通过降低半波电压长度积，从而降低了器件的功耗。