高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统

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高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统
申请号:CN202510890741
申请日期:2025-06-28
公开号:CN120781768A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种高压MOS器件闪烁噪声模型的提取方法及系统,方法包括:设计不同尺寸的高压MOS器件,并测量得到各器件在可操作电压范围内的直流特性数据以及在不同偏置电压条件下的闪烁噪声特性数据;基于直流特性数据,对高压MOS器件的直流性能进行模型拟合得到直流特性模型,直流特性模型包括本征电流部分以及碰撞电离电流部分;基于直流特性模型及闪烁噪声特性数据,对本征电流部分所带来的闪烁噪声和碰撞电离电流部分所带来的闪烁噪声进行模型拟合,得到闪烁噪声模型。通过拟合与碰撞电离电流大小相关联的噪声源模型,对碰撞电离电流部分的闪烁噪声特性进行函数表征,提高了高压MOS器件在高电压偏置下的闪烁噪声特性表征精度。
技术关键词
高压MOS器件 闪烁噪声模型 闪烁噪声特性 电流 电压 数据 噪声源 参数 可读存储介质 非线性 尺寸 模块 强度 精度 关系
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