一种高亮度的LED芯片及其制备方法

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种高亮度的LED芯片及其制备方法，所述高亮度的LED芯片，包括由下至上依次层叠的衬底和外延层，还包括设于所述外延层上的电流阻挡层、电流扩展层、PAD金属电极层和钝化保护层，其中，所述电流阻挡层的表面设置有多个未穿透的凹坑结构。实施本发明的高亮度的LED芯片，能够减小芯片结构内光的全反射，从而提高光提取效率、增加芯片亮度，而且提高了金属电极的粘附性，提升了电极的可靠性。