一种高良率的垂直LED芯片及其制备方法

本发明提供一种高良率的垂直LED芯片及其制备方法，该方法包括提供衬底，在衬底上制备外延片；对外延片进行处理直至将衬底去除，形成PSS凹坑；在PSS凹坑上涂布负性光刻胶、进行曝光加热；涂布正性光刻胶，利用掩膜板对正性光刻胶进行曝光显影，去除部分光刻胶，形成正性光刻胶开口；进行第一子刻蚀程序，去除正性光刻胶开口处的负性光刻胶及部分外延层；进行第二子刻蚀程序，去除剩余外延层及部分电流阻挡层，形成电流阻挡层开孔；去除剩余负性光刻胶和正性光刻胶形成隔离槽；第一子刻蚀程序中，上电极1000W～1500W，下电极500W～750W，上电极与下电极为(2～2.5):1；第二子刻蚀程序中，上电极为350W～550W，下电极为100W～150W，上电极与下电极为(3.5～5):1。