垂直LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一第一衬底，在第一衬底上形成外延层；刻蚀并形成N型导电台阶；在P型半导体层上依次形成反射层和金属连接层；在金属连接层、P型半导体层和N型导电台阶上形成第一绝缘层；刻蚀N型导电台阶上的第一绝缘层，形成第一孔洞；第一孔洞的侧壁为弧形；在第一孔洞内形成导电合金层，作为N型焊盘；提供一转移衬底，键合后剥离第一衬底；形成P型焊盘，即得垂直LED芯片。实施本发明，可以显著提高垂直LED芯片的导热性能，降低工作电压。