剥离外延层的方法

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剥离外延层的方法
申请号:CN202411875073
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119852197A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种剥离外延层的方法。该剥离外延层的方法包括以下步骤:提供待剥离样品;其中,待剥离样品包括沿厚度方向层叠设置的衬底和外延层;衬底和外延层的导电类型相反;将待剥离样品浸泡于刻蚀液中,待剥离样品作为工作电极;采用预设波长的光源照射待剥离样品,使得待剥离样品产生空穴‑电子对;在照射的过程中,向待剥离样品提供预设恒定正向电位。本申请可以有效提高监控片的重复利用率,从而降低芯片的生产成本。
技术关键词
外延 过氧化氢溶液 参比电极 工作电极 刻蚀液 氧化硅 氧化剂 衬底 氢氟酸 石墨电极 波长 光源 层叠 短距离 导电 流速 芯片 电子
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