一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片

本发明提供了一种LED外延结构及其制作方法、LED芯片，通过设置内嵌金属纳米点阵结构的电流扩展层，且所述金属纳米点阵结构的自由振动频率与所述发光结构的出射光光子频率相匹配以形成等离激元共振效应；在共振状态下，光子电磁场的能量被有效的转变为自由电子的集体振动能，从而金属表面共振的电子会与入射光子耦合，进而增强半导体的激发态，使更多的电子空穴对发生辐射复合，藉以增大LED外延结构的内量子效率的同时，减小不同物质层间的界面反射以增大光提取率；此外，在所述电流扩展层中通过内嵌金属纳米点阵结构可进一步改善电流均匀性，进而有效提升器件的发光效率。