半导体发光器件及其制备方法

本发明实施例提供一种半导体发光器件及其制备方法，半导体发光器件包括：衬底；LED外延结构，包括依次设置在所述衬底上的N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；LED外延结构的数量为多个，多个LED外延结构相互间隔设置；CRD外延结构，设置在所述衬底朝向所述LED外延结构的一侧且与所述LED外延结构间隔设置，所述CRD外延结构包括依次设置在所述衬底上的第一缓冲层、第一高阻值缓冲层、通道层、隔离层和势垒层；所述第一缓冲层含AlN，所述第一高阻值缓冲层含GaN；LED外延结构的数量大于CRD外延结构的数量。本发明实施例公开的半导体发光器件集合了LED和CRD芯片的特点，可以改善LED灯带头尾发光亮度不均的问题，且具有较小的体积。