像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片

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像元桥面、像元结构及其制备方法、以及非制冷红外芯片
申请号:CN202510894468
申请日期:2025-06-30
公开号:CN120813086A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种像元桥面,包括层叠设置的第一导电层以及敏感层,第一导电层包括与敏感层电连接的两个电极,每个电极包括并联的若干电阻,敏感层采用VxOy材料。还提供一种像元结构,包括桥腿、像元桥面以及用于支撑桥腿的第二支撑腿,像元桥面由第一支撑腿支撑于桥腿上。还提供一种非制冷红外芯片以及一种像元结构的制备方法。本发明导电层的电极采用并联的若干电阻,可以降低读出电路获取的敏感层材料的阻值,突破了读出电路对于VxOy材料的限制,使得能够采用高阻抗高TCR的氧化钒材料,氧化钒材料电阻率提高的倍数与导电层并联的电阻数量相关,TCR可从2.0%提高到2.3%,从而能够提升产品的性能和均匀性,而对于非制冷红外芯片的响应率可提高15%。
技术关键词
吸收单元 导电层 读出电路 支撑腿 氮化硅层 电阻 电极 氧化钒 氮化钛 二氧化硅 红外光 芯片 衬底 层材料 层叠 叠层
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