一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置

本发明涉及一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置，属于第三代半导体材料技术领域。其包括独立设置的籽晶托与生长坩埚、上下称重装置、感应线圈及中央控制系统。通过上下称重装置实时监测晶体生长量和原料挥发量，计算生长速率与转化率，并动态调整中频感应电源功率与线圈位置，实现温度场分布与生长速度的连续精确控制。本发明能够显著提升碳化硅晶体质量，降低缺陷密度，满足高品质晶体产业化需求。