基于集总模型的低噪声放大器堆叠集成结构及其设计方法

本发明公开了一种基于集总模型的低噪声放大器堆叠集成结构及其设计方法，所述方法包括：进行多级晶体管放大器原理电路设计；确定采用CMOS工艺并与放大电路同平面设计的集总元件以及采用三维集总模型并起到层间连结和堆叠作用的集总元件；使用仿真软件，对采用三维集总模型的集总元件优化仿真出对应LC值的无源元件模型，作为三维集总元件模型；将三维集总元件应用于放大器电路中，调整优化元件尺寸，直至达到指标要求；按照基板堆叠层数要求设计层间结构，利用三维集总元件进行层间连结，按照电路要求连结电路元件，形成设计版图。本发明能够形成多层堆叠的低噪声放大器结构，为有源器件堆叠的设计提供解决方案。