一种半导体激光器芯片结构及其制造方法

本申请涉及半导体激光器制造技术领域。具体涉及一种半导体激光器芯片结构及其制造方法。本申请提供的制造方法制造的半导体激光器芯片结构包括：激光器芯片基体和重掺杂台；重掺杂台的长度和宽度均小于激光器芯片基体的长度和宽度；绝缘层，覆盖重掺杂台靠近边缘的部分宽度、重掺杂台的侧部和重掺杂台侧部的激光器芯片基体表面；离子注入区，位于绝缘层之下的部分厚度的重掺杂台和激光器芯片基体中，与绝缘层共同定义半导体激光器芯片的电流注入窗口的条宽。本申请可解决使用重掺杂台边缘的隔离沟槽定义电流注入窗口造成的缺陷。