新型SiC场效应管成品器件及其制备方法

本发明提供了新型SiC场效应管成品器件及其制备方法，属于场效应管技术领域。本发明包括传统SiC场效应管晶圆、驱动电路和内部Vcc自供电生成电路；传统SiC场效应管晶圆的Drain漏极直接连接至成品器件的Drain定义引脚，传统SiC场效应管晶圆的Source源极连接至成品器件的Source定义引脚；驱动电路的控制信号输入正极连接至成品器件的Gate栅极定义引脚；内部Vcc自供电生成电路通过传统SiC场效应管晶圆的Drain漏极和Source源极间电压信号转换生成驱动电路所需的Vcc电源。本发明能够和传统硅制程平面或超级结场效应管封装引脚兼容，能够用传统的场效应管控制芯片直接驱动，不用另外外加专用驱动芯片，用户可以不用更改PCB就可以直接替代传统硅制程平面或超级结场效应管实现系统升级。