一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体照明技术领域，制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上成型发光结构，获得第一晶圆片；在钼衬底的背面上依次蒸镀Cu层、Ti层、Pt层和Au层组成背金保护结构层；将第一晶圆片和钼衬底键合在一起，获得键合片；依次完成蓝宝石衬底的剥离制程和发光结构的第一电极层制程；在背金保护结构层表面蒸镀形成第二电极层，获得第二晶圆片；对第二晶圆片进行切割、以及劈裂，获得多个芯粒。本发明通过预先在钼衬底背面形成背金保护结构层，不仅能够有效提高第二电极层与钼衬底背面的结合强度，还能够有效分散热应力，从而能够避免两者之间的界面开裂，以及防止第二电极层脱落。