一种抑制Micro-LED键合过程中翘曲的薄膜结构及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种抑制Micro-LED键合过程中翘曲的薄膜结构及其制备方法
申请号:CN202411495536
申请日期:2024-10-25
公开号:CN119546004B
公开日期:2025-12-26
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种抑制Micro‑LED键合过程中翘曲的薄膜结构及其制备方法,涉及显示封装技术领域。所述薄膜结构包括:在芯片和基板的键合过程中,将目标材料薄膜沉积在蓝宝石衬底和Si基板的背面;所述目标材料薄膜的热膨胀系数介于蓝宝石和Si之间。本发明能够缓解在倒装键合的过程中由于蓝宝石和Si的热膨胀系数不匹配引起的翘曲。
技术关键词
薄膜结构 蓝宝石衬底 基板 AlN薄膜 LED芯片 混合气 三甲基 去离子水 溶液 乙醇 激光 空腔 压力
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种集成LED芯片与导光棒一体构建方法及系统
集成LED芯片 超薄LED芯片 透光壳体 电子电路基板 光程
2
一种Mini/MicroLED整面芯片结构激光剥离用临时键合方法及其支撑结构
临时键合方法 UV减粘胶 芯片结构 复合膜材 图形化蓝宝石衬底
3
封装结构、封装方法及半导体模块
半导体芯片 封装结构 陶瓷基板 封装方法 半导体模块
4
一种电路板及电子设备
分布式布拉格反射结构 发光芯片 电路板 基板 导电层
5
一种面向Micro-LED芯片巨量转移的磁驱动干粘附印章及制造方法
LED芯片 磁驱动 支撑微结构 印章 纳米磁性颗粒
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号