一种误触发振荡定量抑制的GaN HEMT驱动方法

本发明公开了一种误触发振荡定量抑制的GaN HEMT驱动方法，包括以下步骤：计算关断暂态过程时间；建立误触发振荡等效电路模型，推导振荡系统特性方程并对其进行根轨迹分析，划定振荡抑制效果最好的RC参数的设计范围；通过检测电路检测GaN HEMT的关断信号，输出长度等同于关断暂态过程时间的触发信号；将触发信号输入驱动电路，构成低阻抗栅极支路，加快GaN HEMT的关断过程；响应于GaN HEMT完成关断，控制触发信号下降至低电平，构成RC缓冲电路，对器件关断后的误触发振荡进行定量抑制。实现了GaN HEMT关断过程的加速，定量地抑制了误触发振荡，不影响器件关断速度，在器件关断过程降低栅极阻抗。