高散热QFN堆叠结构及其制备方法

本发明公开了一种高散热QFN堆叠结构及其制备方法，QFN堆叠结构包括第一框架、第二框架和塑封部，第一框架正面形成第一基岛、多个第一引脚和导电金属柱，在第一基岛表面贴装第一芯片，第一芯片与第一引脚电性连接，第二框架正面形成第二基岛和第二引脚，在第二基岛表面竖直方向堆叠第二芯片和第三芯片，第二芯片、第三芯片与第二引脚电性连接，第一框架正面朝下堆叠在第二框架正面，使导电金属柱对应连接第二引脚，实现多芯片的电性连接；塑封部包覆导电金属柱、第一芯片、第二芯片和第三芯片。本发明的QFN堆叠结构包含双层框架结构的多芯片QFN封装体，实现了多芯片的高密度集成封装,提高了封装结构的可靠性，还提高了散热效果。