芯片及其镀膜方法、电子设备

本发明提供了一种芯片及其镀膜方法、电子设备，属于半导体领域。该芯片镀膜方法包括提供一芯片，所述芯片的表面具有阻挡层；湿法腐蚀去除所述阻挡层；采用干法刻蚀对去除阻挡层之后的芯片表面进行刻蚀；将干法刻蚀处理之后的芯片采用低温退火处理；对芯片进行镀膜处理。本发明通过湿法腐蚀去除阻挡层之后，采用干法刻蚀去除芯片表面的氧化膜与残胶组合层，之后采用低温退火工艺对芯片的损伤进行修复，能够去除芯片与镀膜之间残留的氧化膜和胶膜，避免镀膜后在镀膜与芯片之间存在结合缺陷，提高芯片性能的可靠性。