基于短线圈阵列的IGBT器件电流分布感知方法及装置

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基于短线圈阵列的IGBT器件电流分布感知方法及装置
申请号:CN202510975434
申请日期:2025-07-15
公开号:CN120779197A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于短线圈阵列的IGBT器件电流分布感知方法及装置,涉及电气工程技术领域。该方法包括以下步骤:在待测压接型IGBT器件的表面设置X轴向上和Y轴向上的短线圈阵列,短线圈阵列包括按照预设间隔设置的短线圈;将每个短线圈的两端连接积分器电路;测量每个短线圈两端产生的感应电动势;通过每个短线圈两端连接的积分器电路,将测量的感应电动势转换为短线圈附近的电流分布变化,对待测压接型IGBT器件内部芯片的电流分布状态进行分析。本发明提高了IGBT器件内部电流分布测量的灵敏度,获取更精确、详细的器件内部电流分布情况,减少监测误差,可以及时进行安全预警以及采取有效的干预措施,对器件老化状态进行评估。
技术关键词
线圈阵列 积分器电路 电流 感知装置 芯片 Y轴 轴对称 电气工程技术 转换单元 分析单元 器件老化 模块 措施 误差
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