高隔离度集成光学阵列芯片及其制作方法

本发明公开了一种高隔离度集成光学阵列芯片及其制作方法，制作方法包括：在衬底上划分多个光学单元区域和隔离沟道区域；在衬底上的隔离沟道区域形成隔离沟槽；在隔离沟道区域光刻出光学隔离层的图形，并采用质子交换或金属离子扩散工艺在隔离沟槽的底部和侧壁制作形成光学隔离层；在隔离沟道区域光刻出隔离金属层的图形，在光学隔离层上通过沉积金属膜层形成隔离金属层。本发明中，通过光学隔离层和隔离金属层形成的隔离通道可以吸收相邻的集成光学单元中集成光波导产生的辐射模，并对集成光学单元中金属电极的辐射电信号进行吸收和衰减，从而大幅降低集成光学阵列芯片中集成光学单元之间的光信号和辐射电信号的串扰；在集成光学单元之间实现更高的隔离度。