一种终端结构的制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种终端结构的制备方法、芯片，在N型碳化硅衬底的正面形成N型漂移区，在N型漂移区上形成主结，在主结的末端预设区域进行刻蚀形成尾部沟槽，使得尾部沟槽的第一侧倾角小于16°，尾部沟槽的第二侧壁延伸至芯片边缘，其中，尾部沟槽的第一侧与主结之间为场限环区域，从而仅需增加结终端扩展区和尾部沟槽的掩膜工艺下，结合场限环、结终端扩展区和沟槽结构，在保证器件耐压性能的情况下，有效缩小终端长度，减少芯片的面积占用。