一种MOSFET关键几何参数变化的快速响应预测方法

本发明公开了一种MOSFET关键几何参数变化的快速响应预测方法，包括：确定目标MOSFET的关键物理信息和电学特性指标，选择影响电学特性指标的MOSFET关键几何参数，构建多维几何参数空间；根据所构建的几何参数空间，对不同MOSFET几何参数组合进行仿真，获取关键电学特性指标值，形成原始训练数据集；构建快速响应预测神经网络模型，以预处理后的MOSFET物理信息和几何参数作为输入，对应的电学特性指标作为输出，利用训练数据集对模型进行训练；将新的MOSFET物理信息和几何参数输入到训练好的模型中，利用模型快速预测其对应的电学特性指标。本发明能够高效且准确地预测关键几何参数变化所引起的电学特性响应。