用于SRAM分析的模型生成方法

本发明公开了一种用于SRAM分析的模型生成方法，属于半导体技术领域，所述方法包括：获取实测值数据集，并根据实测值数据集中的阈值电压计算出三维分布协方差矩阵，进而计算出三维马氏距离；根据被指定的概率值在三维空间内确定等概率椭圆体，并提取存位于等概率椭圆体表面的等概率数据集；根据实测值数据集中的阈值电压以及漏极电流计算出二维分布协方差矩阵，进而计算出二维马氏距离；根据被指定的概率值在二维平面内确定出等概率椭圆，并在等概率椭圆上确定出对应的漏极电流；根据等概率数据集中的阈值电压和在等概率椭圆上确定出的漏极电流计算出偏移值。通过本发明提供的用于SRAM分析的模型生成方法，可提高预测产出率的精确度。