一种电磁量子态芯片的储电装置及其制备方法

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一种电磁量子态芯片的储电装置及其制备方法
申请号:CN202510991023
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120933068A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及微观粒子技术领域,且公开了一种电磁量子态芯片的储电装置及其制备方法,所述电磁量子态芯片的储电装置,包括磁性量子态储电芯片器件,所述磁性量子态储电芯片器件由若干层储电薄膜与金氧场效晶体管组合而成,所述磁性量子态储电芯片器件以半导体制程制备在硅晶圆上,所述储电薄膜层包括有柱状磁性纳米凸层,所述柱状磁性纳米凸点层里柱状磁性纳米凸点被介电质层包覆着。该磁性量子态芯片的储电装置器件和目前普遍使用的锂离子电池相比,提升电芯密度,在相同的负载运行情况下,其重量和体积均减小,而却提高了储电量;且该磁性量子态储电装置能快速完成充电;规模化制造可以降低生产成本;并具有高安全性与高性价比的优势。
技术关键词
量子态 芯片器件 物理气相沉积设备 柱状 纳米 磁控溅射设备 储电装置 薄膜层 沉积氮化硅薄膜 凸点 电磁 充放电智能管理 半导体制程 物理气相沉积方法 等离子体制程 等离子体方式
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