一种IGBT芯片及其制备方法

本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法，所述方法包括：在外延层上淀积氧化层作为阻挡层；刻出终端结构；光刻形成沟槽结构、令位于芯片边沿位置的沟槽呈相邻沟槽的间距随沟槽距离芯片中心位置的距离增加呈等比例依序递增；淀积多晶硅、以多晶硅完全填充所述沟槽内部；进行多晶刻蚀，使得多晶硅界面略低于沟槽顶部；源区光刻、形成N+区和P+区；采用CVD积淀的方式在阻挡层上形成隔离介质层；对隔离介质层进行光刻开孔，且令光刻开孔形成的孔间距与沟槽间距保持排布一致；本发明能够有效的降低了边缘效应对IGBT芯片的性能带来的负面影响。