中子管性能优化方法

本申请提出了一种中子管性能优化方法，包括：确定氘离子引出结构的引出配置信息的第一分布范围；基于第一分布范围和预设的离子源引出极结构模型，模拟计算氘离子的最优引出表现信息；将最优引出表现信息对应的引出配置信息设置为氘离子引出结构的目标配置信息；确定靶结构的靶配置信息的第二分布范围；基于第二分布范围和预设的中子管靶模型，模拟计算靶在氘离子引出结构应用目标配置信息时的最优散热关联信息；将最优散热关联信息对应的靶配置信息设置为靶的目标配置信息。本技术方案协同优化氘离子引出结构和靶散热结构，显著提升中子管性能。