一种陶瓷芯片用复合电极的制备工艺

本发明公开了一种陶瓷芯片用复合电极的制备工艺，涉及复合电极技术领域。本发明包括以下步骤：步骤一、提供氧化锆陶瓷基体；步骤二、在所述基体表面激光刻蚀形成微沟槽阵列，刻蚀深度为1.0‑1.5μm步骤三、在刻蚀后的基体上沉积厚度为400‑600nm的La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3‑δ过渡层；步骤四、制备包含Pt‑Rh合金纳米颗粒和CeO2纳米颗粒的复合浆料；步骤五、将所述复合浆料涂覆于过渡层表面。本发明通过激光刻蚀微沟槽、LSCF过渡层屏障、三阶段梯度烧结及闭环监测，在1200℃以下实现低温致密化，有效抑制Pt‑Rh纳米颗粒团聚与元素扩散，电极‑基体界面结合强度提升60%，氧离子传导效率提高35%，批量生产性能一致性达95%以上，显著解决传统高温烧结导致的电极退化、界面扩散及工艺波动问题。