一种芯片烧结用Cu-In复合浆料及其制备方法

本发明公开了一种芯片烧结用Cu‑In复合浆料及其制备方法，涉及导电浆料技术领域。包括以下步骤：将In粉加至二甲基硅油中充分搅拌，继续加入Cu粉，搅拌；设置温度为130～150℃，加热85～95min；静置冷却10～15h，滤除上层油，得到Cu‑In复合浆料；所述Cu‑In复合浆料的原料中，Cu粉、In粉质量比为(1～5):1；所述Cu‑In复合浆料的原料中还包括复合石墨烯；所述Cu‑In复合浆料的原料中，复合石墨烯、Cu粉质量比为(0.02～0.2):(1～5)。