半导体测试结构

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半导体测试结构
申请号:CN202511008161
申请日期:2025-07-22
公开号:CN120878707A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明提供了半导体测试结构,其减少芯片制造过程中的测试次数,提高生产效率,减少测试针痕对表面平整度的影响。其包括:上层金属结构,其包括位于上层的第一测试焊盘、第二测试焊盘、以及连接两组焊盘的上层连接金属层;底层金属结构,其包括位于底层的第三测试焊盘、第四测试焊盘、以及连接两组焊盘的下层连接金属层;以及多层串联连接结构,其适配芯片厚度内的中间金属线路层布置,相邻的两层中间金属线路层之间通过过孔结构连接;所述第一测试焊盘、第四测试焊盘为外侧布置的测试焊盘,所述第二测试焊盘、第三测试焊盘为内侧布置的测试焊盘。
技术关键词
测试焊盘 半导体测试结构 金属线路层 串联连接结构 金属结构 测试方法 芯片 长方形 尺寸
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