摘要
本发明涉及一种双向常闭型器件及其封装方法,所述封装方法包括:对双向耗尽型半导体芯片进行电极的扇出封装以得到塑封体超出双向耗尽型半导体芯片本体的第一封装结构件,并在第一封装结构件正面表面形成第一重布线层,所述第一封装结构件包括水平排布的第一区、第二区和第三区,第二区内塑封所述双向耗尽型半导体芯片,所述第一区和第三区内分别包括散热通道;所述第一重布线层包括第一级联金属层和第二级联金属层;分别在第一级联金属层上贴装第一增强型半导体芯片,在第二级联金属层上贴装第二增强型半导体芯片。本发明缩小了双向常闭型器件的芯片面积,降低了寄生参数,提高了器件的整体散热效果。
技术关键词
双向常闭型器件
半导体芯片
耗尽型
结构件
封装方法
正面
电极引出结构
背面金属层
级联
引线框架
金属互联结构
金属结构
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